2009 辣根二溴化酶修飾電極的電物理研究譚天偉（生命科技大學(xué)南京化工學(xué)院上海）制備了考馬斯亮藍(lán)與多壁碳納米管混合修飾的玻碳電極（）研究了辣根二溴化酶固定在該修飾電極上的電子轉(zhuǎn)移情況。結(jié)果表明，辣根二溴化酶在該電極上實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定的直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)，循環(huán)伏安圖上出現(xiàn)了一對對稱性良好的氧化還原峰。 直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的表觀速率常數(shù)=468s-1幾乎不隨掃描速率變化（至少在20-270m范圍內(nèi)），平均值為（-）具有良好的電催化活性。該方法可以提供基礎(chǔ)數(shù)據(jù)關(guān)鍵詞：考馬斯亮藍(lán)；多壁碳納米管；辣根二溴化酶；直接電物理 中圖編號：O646 接收日期： 基金項(xiàng)目：國家“973”計(jì)劃（2007 ）；用于制備生物傳感和生物燃料電池酶電極。國家自然科學(xué)基金（，碩士生EC1.11.1.7）是以鐵配體為強(qiáng)結(jié)合輔基的蛋白質(zhì)，分子量約，溫度穩(wěn)定，易獲得，價(jià)格實(shí)惠是較早商業(yè)化并廣泛應(yīng)用的酶制劑，隨著酶固定化化學(xué)技術(shù)的發(fā)展和新測量方法的應(yīng)用，已廣泛應(yīng)用于酶聯(lián)免疫分析和生物傳感的構(gòu)建中。

固定在不同的電極上，用于測量的氧化還原活性中心深埋在酶分子中，其與電極表面的距離超過了電子能夠以足夠快的速度轉(zhuǎn)移的距離。 關(guān)于直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)獲得良好伏安峰形的報(bào)道很少。 該紙固定在由考馬斯亮藍(lán)和多壁碳納米管混合物修飾的玻碳電極上。 借助考馬斯亮藍(lán)和多壁碳納米管對酶的雙重吸附，在循環(huán)伏安圖上顯示出一對對稱性良好的峰。 利用考馬斯亮藍(lán)吸附蛋白質(zhì)來修飾電極的方法尚未見報(bào)道。 直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的峰面積和速率常數(shù)比單獨(dú)的碳納米管大。 主要試劑及儀器 辣根二溴化物（ ）、考馬斯亮藍(lán)G250（）未經(jīng)進(jìn)一步純化直接使用； 多壁碳納米管（傅里葉變換紅外光譜儀，；CHI 600C電物理分析儀，北京辰華儀器有限公司。在堿液中，超聲波30μm，紅外燈下加熱30μm，將懸浮液滴在表面制備10μm辣根二溴化酶的水堿液，將10%的酶溶液吸取在制備好的修飾電極上，并置于片劑上；電物理測量采用三電極系統(tǒng)，玻碳電極為工作電極，鉑絲為對電極，濾液電極為參比電極。 直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的推進(jìn)電極的循環(huán)伏安圖在測量前在30℃下用氫氣預(yù)膜化。

在實(shí)驗(yàn)電位掃描范圍內(nèi)，電極的循環(huán)伏安圖無明顯峰； 在相同條件下電極的循環(huán)伏安圖中，出現(xiàn)了一對幾乎對稱的氧化還原峰。 由彎曲的電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)形成。 這是組氨酸假體組中氧化還原中心電極的圖表。 在此圖上幾乎觀察不到氧化還原峰，表明有一對氧化還原峰，并且電壓小于該氧化還原峰。 它不僅具有良好的導(dǎo)電性，而且還為電子的直接轉(zhuǎn)移提供了有利的微環(huán)境。 碳納米管在促進(jìn)酶的電物理反應(yīng)方面的作用已被許多文獻(xiàn)報(bào)道。 在未修飾的的電極循環(huán)伏安圖中，在-03F電位附近出現(xiàn)了一對不顯著的氧化還原峰。 當(dāng)用修飾電極時(shí)，在相同電位下出現(xiàn)了一個(gè)對稱性較好且更加突出的峰，并且峰電壓大大增強(qiáng)（圖中一對氧化還原峰。實(shí)驗(yàn)否認(rèn)了250個(gè)電子直接作用于酶。轉(zhuǎn)移反應(yīng)具有驅(qū)動(dòng)作用，原因是顏料上的陰離子可以與酶蛋白的丙酯鍵結(jié)合，起到提高酶在電極上的吸附斥力，增強(qiáng)酶的吸附能力的作用。紅外光譜否定了處的峰為-1，峰間差異較小（分別為-1），表明修飾電極上沒有變性。辣根二溴化酶的電物理研究修飾電極環(huán)境的作用促進(jìn)了酶分子在碳納米管表面的吸附并保持其活性。以及羰基（-1）等含氧配合物，以及其電物理行為和表觀速率常數(shù)的估計(jì)文獻(xiàn)[[]中，直接電子轉(zhuǎn)移反應(yīng)的氧化還原峰電位為--，電位為，公式電位接近。

也與石墨電極上芐基纖維素膜固定化辣根二溴化酶及其他以甾醇為氧化還原中心的蛋白質(zhì)的式勢細(xì)胞色素P450接近。 表明通過該固定方法，不同掃描速率下電極循環(huán)伏安曲線的氧化還原峰電壓之比正方向相連。 電位差幾乎不隨掃描速率變化。 隨著掃描速率（ ）減小，峰值電壓也減小，并且與掃描速率呈線性關(guān)系。 線性多項(xiàng)式為+，相關(guān)系數(shù)R=。 優(yōu)越的。 借助電極表面非均相反應(yīng)動(dòng)力學(xué)常數(shù)的估計(jì)方法，當(dāng)直接電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù)時(shí)，可以得到表面反應(yīng)電子轉(zhuǎn)移速率常數(shù)關(guān)系曲線中直線的斜率和截距電極表面上>200 mM 在高掃描速度范圍內(nèi)，氧化峰電位與電位掃描速度對數(shù)的擬合多項(xiàng)式為R=，因此可以估算=468s-1 的值高于單獨(dú)的碳納米管固定電極。 )中穩(wěn)定性電極連續(xù)掃描50圈，如圖所示。 每次掃描的圖形基本重合，證明在該電極上是穩(wěn)定的。 并且受電物理行為的影響，實(shí)驗(yàn)中僅需增加3%的流量即可得到穩(wěn)定可逆的氧化還原峰。